単結晶パラタングステン酸アンモニウム

単結晶APTは、その優れた物理的特性により、高性能タングステン材料の製造に理想的な原料です。第一に、単結晶APT粉末は良好な流動性を持ち、焼成水素による単結晶APTの還元によって得られたタングステン粉末はプレス加工中の滑り摩擦抵抗が小さく、ブランクのボイド欠陥が明らかに減少し、加工材料の機械的性質が大きい。範囲が広がります。良好な引張および破壊抵抗のために、伸線工程におけるタングステン線の収率は９０％であり、そして多結晶ＡＰＴから製造されたタングステン線の収率はわずか７０％である。したがって、単結晶ＡＰＴは、自動車用の高品質タングステンワイヤを製造するための必須原料となっている。

さらに、単結晶ＡＰＴ粉末は高い嵩密度を有し、ブランク中のグレインギャップは小さくかつ均一であり、機械的欠陥は少なく、圧縮密度は高く、そしてそれによって得られる合金材料は圧縮および剪断抵抗を有する。優れた耐衝撃性例えば、単結晶ＡＰＴから作られたトップハンマーの寿命は、多結晶ＡＰＴのそれの２倍である。その大きなカウンターウェイト効果により、単結晶APTは、装甲爆弾、高密度合金、マイクロドリル、CNCインサートなどの高性能タングステン材料を製造するための優れた粉末原料です。

単結晶パラタングステン酸の生成機構
粒子凝集のための前提条件は接触であり、粒子接触の２つの方法がある。１つは結晶化装置の底部に堆積された堆積接触である。 結晶化溶液中に懸垂した衝突接触である。その中で、衝突接触の可能性は、金型内の流体の流れと溶液内の固体粒子の濃度に直接関係しています。結晶粒子を確実に懸濁させることを前提として、結晶粒子を溶液中で移動衝突させる機会を少なくすることがパラタングステン酸アンモニウム単結晶の製造の前提条件である。

攪拌装置の攪拌速度と攪拌速度とが異なるため、結晶粒同士が衝突する可能性は大きく異なる。研究によれば、円形断面を有する晶析装置において、流体が攪拌シャフトの周りの円形同心層流内を移動するとき、粒子衝突の可能性は最小である。流体運動が層流か乱流かは、流速、すなわち攪拌速度に依存します。撹拌が遅くなればなるほど、流体は乱流から遠ざかる。そのため、結晶粒が析出しないことを前提として、攪拌速度はできるだけ遅い。 ＡＰＴ粒子の沈降速度はそれらの粒径に関係している。粒径が大きいほど、沈降が容易になり、懸濁状態に維持するのに必要なスピン速度が速くなります。従って、粒子成長の場合には、結晶化プロセスは遅いものから速いものへと制御され、そして異なる粒径範囲が決定され、ＡＰＴ粒子の最適回転速度は単結晶ＡＰＴの製造ではない。重要なテクノロジの1つです。

結晶化過程におけるＡＰＴ粒子の衝突機会はまた、粒子の数（すなわち固相濃度）および単位体積の液晶液体当たりの粒子サイズにも関係している。先行研究の結果によると、タングステン酸溶液の初期濃度の同じ条件下で、結晶化前溶液の温度および攪拌速度を下げることは、核形成の数を減らす（すなわち固相濃度を下げる）ことおよび粒子成長速度を下げること（すなわち粒径を小さくする）である。 APT粒子衝突と単結晶APTを減らすための鍵

パラタングステン酸アンモニウム単結晶の凝集に及ぼす結晶化装置の影響

反応条件：攪拌速度７０ｒ ／分、結晶化温度９５℃。パラタングステン酸アンモニウムの凝集に対する結晶化ユニットの影響を定性的に調べた。 晶析装置は、円形断面を有する晶析装置である。パラタングステン酸アンモニウムの結晶化速度論および流体力学の原理によれば、結晶化装置では、流体は攪拌軸を中心に周方向に移動し、同一半径点での流体速度は実質的に同じであり、流体層流が基本的に実現される。開発された晶析装置は通常の金型流動状態とは大きく異なります。

改良された結晶化装置を用いると、ＡＰＴ粉末の単結晶比は著しく改善される。この改善は主に撹拌スラリーに反映されており、これは晶析装置内の溶液の層流の実現を促進することができる。開発した層状APT粉末調製流体層流制御技術と装置は粒子間の衝突を効果的に減らすことができ、そして単結晶APT粉末は90％以上の単結晶比を持つ。

ＡＰＴ粉末の最適結晶化条件は、結晶核が出現する前は３０ｒ ／ ｍｉｎ、結晶核が出現したら５０ｒ ／ ｍｉｎ、結晶核が１時間出現した後は７０ｒ ／ ｍｉｎである。結晶化後期から結晶化終了までの攪拌速度は７０〜９０ｒ ／ ｍｉｎであり、結晶化前温度を適度に下げればＡＰＴ粉末単結晶比は改善の余地が大きく、結晶化温度が８０℃のときに最適値が得られる。 96％